Schottky Diyot

Schottky diyotlar dört silisyum katmanlı bir diyotlardır. Anot ve katodu aynı yönde kutuplanmış iki diyotun paralel bağlanması ile oluşturulurlar.

Normal diyotlar çok yüksek frekanslarda üzerine uygulanan gerilimin yön değiştirmesine karşılık veremezler. Yani, iletken durumdan yalıtkan duruma veya yalıtkan durumdan iletken duruma geçemezler. Bu hızlı değişimlere cevap verebilmesi için schottky diyotlar imal edilmiştir.

Schottky diyotlar normal diyotun n ve p maddelerinin birleşim yüzeyinin platinle kaplanmasından meydana gelmişlerdir. Birleşim yüzeyi platinle kaplanarak ortadaki nötr bölge inceltilmiş, böylece akımın nötr bölgeyi aşması kolaylaştırılmıştır.

Çok yüksek frekans aralıklarında çalışan bu diyotlar, düşük gürültü seviyesine ve düşük gerilim değerlerine sahiptirler. Bu diyotlarda kayda değer düzeyde azınlık taşıyıcıların görülmemesi, çok daha düşük düzeyde bir tıkanma süresine yol açmaktadır. Çok yüksek frekanslarda dahi hızlı tepki verebilmesinin nedeni de buradan gelmektedir.

Schottky diyotlarının kullanım alanları arasında düşük gerilimli güç kaynakları, radar ve uydu sistemleri, iletişim cihazlarındaki karıştırıcılar, detektör devreleri, analog-sayısal dönüştürücüleri ve yüksek frekansta çalışan anahtarlamalı güç kaynakları gösterilebilinir.

Schottky diyotları –650 C’den 1500 C’ye kadar sıcaklık aralığında çalışmaktadırlar. Şarj kontrol devresi için oluşturulan baskı devresinde, bu diyot anlık tepe gerilimlerindeki büyük değişimler ve sürekli akım etkisi üzerinde bulunabileceği ihtimalinden ötürü koruma olarak aşırı ısınmaları önlemek adına bir alüminyum soğutucu vasıtasıyla korunmaktadır.